|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полимеры
Эффект резистивного переключения и памяти в композитных пленках на основе оксида графена в матрице металлорганических перовскитов
А. В. Архипов, Г. В. Ненашев, А. Н. Алешин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследован эффект резистивного переключения в композитных пленках на основе металлоорганических перовскитов CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$ и CH$_{3}$NH$_{3}$PbI$_{3}$ с частицами оксида графена (GO) с концентрацией 1–3 wt.% и слоем фуллерена [60]PCBM. Установлено, что эффект резистивного переключения в пленках Ag/[60]PCBM/CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$(I$_{3}$) : GO/PEDOT : PSS/ITO/glass проявляется в резком изменении состояния из низкопроводящего в высокопроводящее при подаче как положительного, так и отрицательного смещения на Ag и ITO электроды, как в темноте, так и при освещении имитатором солнечного света. Предположено, что механизм резистивного переключения связан с захватом и накоплением носителей заряда в частицах GO за счет процессов восстановления/окисления. Исследованные композитные пленки перспективны для создания энергонезависимых ячеек памяти.
Ключевые слова:
металлоорганические перовскиты, оксид графена, электропроводность, резистивное переключение, ячейки памяти.
Поступила в редакцию: 17.12.2020 Исправленный вариант: 17.12.2020 Принята в печать: 18.12.2020
Образец цитирования:
А. В. Архипов, Г. В. Ненашев, А. Н. Алешин, “Эффект резистивного переключения и памяти в композитных пленках на основе оксида графена в матрице металлорганических перовскитов”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 559–563; Phys. Solid State, 63:4 (2021), 525–529
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8158 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i4/p559
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 64 | PDF полного текста: | 15 |
|