|
Полупроводники
Зависимость светоэкситонного взаимодействия от ширины квантовой ямы во внешнем однородном электрическом поле
Д. К. Логиновa, А. В. Донецb a Лаборатория Оптики спина имени И.Н. Уральцева Санкт-Петербургского государственного университета,
Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Теоретически анализируется зависимость светоэкситонного взаимодействия от размеров квантовой ямы во внешнем электрическом поле. Показано, что в достаточно сильном поле увеличение ширины ямы приводит к ослаблению светоэкситонного взаимодействия по сравнению с более узкими ямами. Произведены численные расчеты продольно-поперечного расщепления экситона для широкого диапазона электрических полей и значений ширины квантовой ямы. Анализ полученных данных позволил получить выражения, описывающие зависимости светоэкситонного взаимодействия как от величины приложенного электрического поля, так и от ширины ямы.
Ключевые слова:
экситон, электрическое поле, квантовая яма, светоэкситонное взаимодействие.
Поступила в редакцию: 14.12.2020 Исправленный вариант: 14.12.2020 Принята в печать: 16.12.2020
Образец цитирования:
Д. К. Логинов, А. В. Донец, “Зависимость светоэкситонного взаимодействия от ширины квантовой ямы во внешнем однородном электрическом поле”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 457–464; Phys. Solid State, 63:4 (2021), 582–589
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8144 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i4/p457
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 10 |
|