Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства тонких гетероэпитаксиальных пленок SBN-50

С использованием методов диэлектрической спектроскопии и сканирующей зондовой микроскопии (в режимах силовой микроскопии пьезоотклика и Кельвин моды) проведены исследования фазовых превращений и сегнетоэлектрических характеристик тонких пленок ниобата бария-стронция SBN-50, выращенных методом ВЧ-катодного распыления в атмосфере кислорода. Показано, что пленки характеризуются низкой шероховатостью поверхности, средним размером сегнетоэлектрических доменов $\sim$ 100 nm и самопроизвольной поляризацией, направленной от подложки к поверхности пленки. Установлены различия в величине сигнала поверхностного потенциала и его релаксация для областей, заполяризованных внешним полем различной полярности (+10 и -10 V). Характер изменения диэлектрических параметров в интервале температур $T$ = 275–500 K свидетельствует о принадлежности материала к сегнетоэлектрикам-релаксорам. Обсуждаются причины установленных закономерностей.