|
Магнетизм
Амплитудные зависимости диэлектрических потерь в тонкопленочном наногранулированном композите $(x)$Ni–$(1-x)$PZT
А. В. Калгинab, И. Ю. Кобяковa a Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
b Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Аннотация:
При температурах $T$ ниже сегнетоэлектрической точки Кюри и разных напряженностях постоянного электрического поля $E_{=}$ изучены зависимости диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta$ в тонкопленочном наногранулированном композите $(x)$Ni–$(1-x)$[Pb$_{0.81}$Sr$_{0.04}$(Na$_{0.5}$Bi$_{0.5}$)$_{0.15}$][(Zr$_{0.575}$Ti$_{0.425}$)]O$_{3}$ от напряженности переменного электрического поля $E_\sim$. Обнаружено, что $\operatorname{tg}\delta$ практически не изменяется с ростом $E_\sim$ до напряженности некоторого порогового поля $E_t$ и плавно возрастает при $E_\sim>E_t$. Величина $E_t$ уменьшается, когда $T$ увеличивается, а $x$ и $E_{=}$ уменьшаются. Обнаруженные зависимости $\operatorname{tg}\delta(E_\sim)$ и $E_t$ от $T$, $x$ и $E_{=}$ объясняются в рамках модели взаимодействия доменных границ с закрепляющими их точечными дефектами в сегнетоэлектриках.
Ключевые слова:
магнитоэлектрический композит, точечный дефект, доменная граница, диэлектрические потери, точка Кюри.
Поступила в редакцию: 27.01.2021 Исправленный вариант: 27.01.2021 Принята в печать: 30.01.2021
Образец цитирования:
А. В. Калгин, И. Ю. Кобяков, “Амплитудные зависимости диэлектрических потерь в тонкопленочном наногранулированном композите $(x)$Ni–$(1-x)$PZT”, Физика твердого тела, 63:6 (2021), 748–753; Phys. Solid State, 63:6 (2021), 850–855
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8112 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i6/p748
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 10 |
|