О магнитометрическом определении концентрации радиационных дефектов в сверхпроводящей пленке GdBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$

Предложена и обоснована экспрессная магнитометрическая методика, позволяющая определять неоднородность изменения сверхпроводящих свойств тонкого слоя сверхпроводника, обусловленную радиационным облучением. Проведено численное моделирование этой методики на примере сверхпроводящего слоя GdBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$, облучаемого ионами водорода и гелия. Расчет профиля концентрации радиационных дефектов проводился с использованием комплекса программ SRIM. Расчет распределения плотности сверхпроводящих токов, индуцированных внешним магнитным полем проводился в рамках модели критического состояния. Модельные расчеты показали эффективность предлагаемой методики.