Влияние внешних факторов на ширину линии ферромагнитного резонанса в структурах с обменным смещением

Исследованы внешние факторы, влияющие на ширину линии ферромагнитного резонанса (ФМР) в двухслойных (ферромагнетик/антиферромагнетик) системах с обменным смещением. Исследованы зависимость ширины линии ФМР от толщины антиферромагнитного (АФ) слоя при неизменной толщине ферромагнитного (Ф) слоя для образцов с различным порядком осаждения Ф- и АФ-слоев, а также корреляция между полем обменного смещения и шероховатостью поверхности образца. Обнаружено, что обменное смещение дает незначительный вклад в ширину линии ФМР. В системах с антиферромагнетиком, нанесенным на ферромагнитный слой, ширина линии ФМР увеличивается пропорционально среднему размеру шероховатости поверхности. В системах с обратным расположением слоев значительный вклад в ширину линии дает одноосная анизотропия. Ширина линии ФМР находится в квадратичной зависимости от одноосной анизотропии и в обратно пропорциональной зависимости от толщины антиферромагнитного слоя, что можно отнести к изменению микроструктуры с толщиной в качестве внешнего фактора демпфирования ФМР.