|
Металлы
Фотогальванические токи и электрическая неоднородность 2-D-структурированного монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника
А. П. Одринский Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
Аннотация:
Описаны условия эксперимента, позволившего прояснить механизм формирования электрической неоднородности кристалла TlGaSe$_{2}$. Исследована эволюция аномальной реакции кристалла на фотовозбуждение и предложена интерпретация основных процессов определяющих динамику сигнала. Показано, что доминирующий вклад в развитие аномалий и формирование электрической неоднородности кристалла вносит фотогальваническая эдс. Также рассмотрено участие глубокоуровневых дефектов, как центров локализации заряда, в формировании электрической неоднородности слоистого кристалла сегнетоэлектрика-полупроводника. Ключевые слова: фотогальванический ток, слоистые кристаллы, сегнетоэлектрики-полупроводники, центры локализации заряда.
Ключевые слова:
фотогальванический ток, слоистые кристаллы, сегнетоэлектрики-полупроводники, центры локализации заряда.
Поступила в редакцию: 25.03.2021 Исправленный вариант: 30.03.2021 Принята в печать: 30.03.2021
Образец цитирования:
А. П. Одринский, “Фотогальванические токи и электрическая неоднородность 2-D-структурированного монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1024–1029; Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1288–1293
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8058 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i8/p1024
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 10 |
|