Фотофизические свойства тонких пленок перилена, модифицированного функциональными группами диангидрида и диимида тетракарбоновой кислоты

Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология пленок органических полупроводников диангидрида перилентетракарбоновой кислоты (PTCDA) и дибензил-диимида перилентетракарбоновой кислоты (N, N'-DBPTCDI) сформированных вакуумным термическим напылением. Показано, что отжиг пленок при 420 K приводит к перестройке их структуры и кристаллизации. На основе полученных спектров оптического поглощения исследуемых пленок оценена оптическая ширина запрещенной зоны. Установлена температурная зависимость темновой проводимости пленок PTCDA и N, N-DBPTCDI до и после отжига ($T$ = 420 K). Определены значения энергии активации ловушек носителей заряда. Проведено моделирование структуры плотности локализованных в запрещенной зоне состояний исследуемых пленок по спектрам фотопроводимости в режиме постоянного фототока. Сформированы модельные фотовольтаические ячейки на основе PTCDA/СuPc и N, N-DBPTCDI/СuPc-структур. Измерена кинетика затухания вентильной фотоэдс фотовольтаических ячеек при импульсном световом возбуждении. На основе выполненных измерений дана оценка подвижности носителей заряда в исследуемых полупроводниковых материалах.