|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.
Физика поверхности, тонкие пленки
Оценка характеристик однофотонного детектора в зависимости от параметров сверхпроводящей пленки W$_{x}$Si$_{1-x}$
С. Ю. Хыдырова, И. А. Степанов, Д. Д. Васильев, К. М. Моисеев Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, Москва, Россия
Аннотация:
Проведен расчет эффективности поглощения, пороговой длины волны и длительности импульса напряжения сверхпроводникового однофотонного детектора в зависимости от поверхностного сопротивления $R_{s}$ и критической температуры $T_{c}$ пленки W$_{x}$Si$_{1-x}$. Рассчитанные зависимости характеристик детектора для пленок W$_{x}$Si$_{1-x}$ показывают, что пленки с $T_{c}$ > 3.5K и 300 < $R_{s}$ < 420 $\Omega$/sq обеспечат $\eta_{abs}\approx15\dots$ 20%, $\eta_{\mathrm{IDE}}$=100% при длине волны излучения 1550 nm и длительность импульса напряжения детектора $\tau$ < 40 ns, что соответствует возможной скорости счета детектора $CR_{\mathrm{max}}$=25 MHz.
Ключевые слова:
однофотонный детектор на сверхпроводящей нанопроволоке (SNSPD), эффективность детектора, скорость счета детектора, тонкая пленка W$_{x}$Si$_{1-x}$, поверхностное сопротивление, критическая температура, сверхпроводимость, чувствительный элемент.
Поступила в редакцию: 09.04.2021 Исправленный вариант: 09.04.2021 Принята в печать: 19.04.2021
Образец цитирования:
С. Ю. Хыдырова, И. А. Степанов, Д. Д. Васильев, К. М. Моисеев, “Оценка характеристик однофотонного детектора в зависимости от параметров сверхпроводящей пленки W$_{x}$Si$_{1-x}$”, Физика твердого тела, 63:9 (2021), 1372–1375; Phys. Solid State, 63:9 (2021), 1410–1413
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8045 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i9/p1372
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 55 | PDF полного текста: | 13 |
|