Оценка характеристик однофотонного детектора в зависимости от параметров сверхпроводящей пленки W$_{x}$Si$_{1-x}$

Проведен расчет эффективности поглощения, пороговой длины волны и длительности импульса напряжения сверхпроводникового однофотонного детектора в зависимости от поверхностного сопротивления $R_{s}$ и критической температуры $T_{c}$ пленки W$_{x}$Si$_{1-x}$. Рассчитанные зависимости характеристик детектора для пленок W$_{x}$Si$_{1-x}$ показывают, что пленки с $T_{c}$ > 3.5K и 300 < $R_{s}$ < 420 $\Omega$/sq обеспечат $\eta_{abs}\approx15\dots$ 20%, $\eta_{\mathrm{IDE}}$=100% при длине волны излучения 1550 nm и длительность импульса напряжения детектора $\tau$ < 40 ns, что соответствует возможной скорости счета детектора $CR_{\mathrm{max}}$=25 MHz.