Изготовление сверхпроводниковых туннельных структур с использованием электронно-лучевой литографии

Разработана и оптимизирована технология изготовления субмикронных переходов Nb-AlN-NbN с использованием электронно-лучевой литографии. Были проведены исследования по подбору дозы экспонирования, времени проявления и параметров плазмохимического травления для получения максимального значения параметра качества туннельных переходов $R_j/R_n$. Использование негативного резиста ma-N 2400 с меньшей чувствительностью и лучшим контрастом в сравнении с резистом UVN 2300-0.5 позволило улучшить воспроизводимость процесса изготовления структур. Это позволило изготовить туннельные переходы Nb-AlN-NbN с высокой плотностью тока и параметром качества $R_j/R_n$ > 15 субмикронных размеров (площадь от 2.0 до 0.2 $\mu$m$^{2}$). Экспериментально измерен разброс параметров туннельных структур субмикронных размеров по подложке, и воспроизводимость процесса изготовления структур от цикла к циклу.