Исследование параметров сверхпроводящих и изолирующих элементов структур, получаемых на пленках YBCO методом задающей маски, при уменьшении их размеров

Настоящая работа посвящена исследованию электрофизических параметров сверхпроводящих и изолирующих элементов планарных структур, изготавливаемых методом задающей маски на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-d}$, при уменьшении размеров элементов до значений порядка одного микрометра. С использованием стандартной фотолитографии методом задающей маски получены структуры со сверхпроводящими элементами шириной 2 $\mu$m и параметрами, достаточными для приборных применений.