Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2021, том 63, выпуск 10, страницы 1663–1667
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2021.10.51458.110
(Mi ftt8005)
 

Системы низкой размерности

Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена

А. В. Кривошееваa, В. Л. Шапошниковa, I. Stichb

a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
b Center for Computational Material Science, Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, 84511 Bratislava, Slovakia
Аннотация: С помощью методов теоретического моделирования проведено исследование нового перспективного полупроводникового материала – фосфорена – и определены возможности изменения величины и характера его межзонных переходов при воздействии на кристаллическую решетку этого материала сжимающих и растягивающих напряжений. Установлено, что в зависимости от величины и направления воздействия напряжений материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником. Показана возможность применения фосфорена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда.
Ключевые слова: фосфорен, монослой, зонная структура, ширина запрещенной зоны, деформация, напряжения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Slovak Academy of Sciences
Государственная научная программа Республики Беларусь
Работа выполнена в рамках международного гранта по программе стипендий Словацкой академии наук, а также задания Государственной научной программы Республики Беларусь “Физическое материаловедение, новые материалы и технологии” (Физматтех).
Поступила в редакцию: 13.05.2021
Исправленный вариант: 13.05.2021
Принята в печать: 13.05.2021
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2021, Volume 63, Issue 11, Pages 1690–1694
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783421100188
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, I. Stich, “Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена”, Физика твердого тела, 63:10 (2021), 1663–1667; Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1690–1694
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KriShaSti21}
\by А.~В.~Кривошеева, В.~Л.~Шапошников, I.~Stich
\paper Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена
\jour Физика твердого тела
\yr 2021
\vol 63
\issue 10
\pages 1663--1667
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8005}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2021.10.51458.110}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46598587}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2021
\vol 63
\issue 11
\pages 1690--1694
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783421100188}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8005
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i10/p1663
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024