|
Системы низкой размерности
Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена
А. В. Кривошееваa, В. Л. Шапошниковa, I. Stichb a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
b Center for Computational Material Science, Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, 84511 Bratislava, Slovakia
Аннотация:
С помощью методов теоретического моделирования проведено исследование нового перспективного полупроводникового материала – фосфорена – и определены возможности изменения величины и характера его межзонных переходов при воздействии на кристаллическую решетку этого материала сжимающих и растягивающих напряжений. Установлено, что в зависимости от величины и направления воздействия напряжений материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником. Показана возможность применения фосфорена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда.
Ключевые слова:
фосфорен, монослой, зонная структура, ширина запрещенной зоны, деформация, напряжения.
Поступила в редакцию: 13.05.2021 Исправленный вариант: 13.05.2021 Принята в печать: 13.05.2021
Образец цитирования:
А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, I. Stich, “Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена”, Физика твердого тела, 63:10 (2021), 1663–1667; Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1690–1694
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8005 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i10/p1663
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 30 |
|