Зависимость подвижности носителей заряда в гибридных наноструктурах на интерфейсе графена с молекулярными ионами от их зарядовой плотности

Гибридные наноструктуры с развитым интерфейсом между наноструктурными компонентами играют важную роль в современной электронике. В том числе, гибридные наноструктуры, формируемые на интерфейсе графена с ансамблями молекулярных ионов в графеновых полевых транзисторах (GFETs) с жидкими затворными изоляторами, перспективны для создания химических и биологических сенсоров. Поэтому изучение влияния интерфейса на электрический транспорт в таких системах представляет большой интерес. Настоящая работа направлена на теоретическое исследование зависимости подвижности носителей заряда ($\mu$) в таких наноструктурах от плотности интерфейсных молекулярных ионов $(N_{ii})$. Установлено, что зависимость $\mu\propto1/(N_{ii})^{1/2}$, полученная в модели свободных носителей заряда в графене при условии их слабой связи с интерфейсными ионами для короткодействующих сил рассеяния, удовлетворительно описывает экспериментальные транзисторные характеристики при высоких напряжениях на затворе.