|
Продолжение публикации материалов семинара в ФТТ N 12/21
Сегнетоэлектричество
Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST
С. М. Афанасьевa, Д. А. Белорусовa, Д. А. Киселевab, А. А. Сивовa, Г. В. Чучеваa a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Московская обл., Россия
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Аннотация:
Пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ (BST) синтезированы методом высокочастотного (ВЧ) распыления на буферный слой сегнетоэлектрической пленки состава PbZr$_{x}$Ti$_{1-x}$O$_{3}$ (PZT). Представлены сравнительные результаты электрофизических свойств трех различных МДМ-структур: Pt/BST/Ni, Pt/PZT/Ni и Pt/PZT-BST/Ni.
Ключевые слова:
структуры металл–диэлектрик–металл, сегнетоэлектрические пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$, буферный слой, электрофизические свойства.
Поступила в редакцию: 05.07.2021 Исправленный вариант: 05.07.2021 Принята в печать: 07.07.2021
Образец цитирования:
С. М. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST”, Физика твердого тела, 63:11 (2021), 1895–1900
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt7965 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i11/p1895
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 27 |
|