Исследование распределения релаксаторов в тонких слоях аморфного MoTe$_{2}$

В последнее время дихалькогениды переходных металлов оказались в центре внимания после того, как было обнаружено, что в пределе монослоя они становятся прямозонными полупроводниками. В работе представлены результаты исследования распределения релаксаторов в слоях аморфного дителлурида молибдена, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления. По полученным значениям релаксационных параметров $\alpha$ и $\beta$, можно констатировать переход от несимметричного распределения к симметричному распределению релаксаторов по временам релаксации при температуре $T=283$ K. Обнаружено существование максимумов на температурной зависимости времен релаксации $\tau_{max}=f(T)$, которое может быть связанно с фазовыми переходами в системе.