Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2021, том 63, выпуск 12, страницы 2047–2052
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2021.12.51664.179
(Mi ftt7913)
 

Продолжение публикации материалов семинара в ФТТ N 01/22
Полупроводники

Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs

Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия
Аннотация: На основе исследования фотопроводимости в $p$-$i$-$n$-гетероструктурах GaAs/AlAs в видимом световом диапазоне показана доминирующая роль канала диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в процессе формирования осцилляций фототока от напряжения смещения и определяющий вклад этого канала в полный ток через структуру. Рассмотрена качественная модель транспорта возбужденных носителей, предполагающая диффузионный канал как основной источник фотоосцилляций.
Ключевые слова: гетероструктуры, фотопропроводимость.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-00355-21-00
Работа выполнена в рамках Госзадания № 075-00355-21-00.
Поступила в редакцию: 29.07.2021
Исправленный вариант: 29.07.2021
Принята в печать: 04.08.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, “Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs”, Физика твердого тела, 63:12 (2021), 2047–2052
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VdoKha21}
\by Е.~Е.~Вдовин, Ю.~Н.~Ханин
\paper Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs
\jour Физика твердого тела
\yr 2021
\vol 63
\issue 12
\pages 2047--2052
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt7913}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2021.12.51664.179}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46652161}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt7913
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i12/p2047
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024