|
Продолжение публикации материалов семинара в ФТТ N 01/22
Полупроводники
Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs
Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия
Аннотация:
На основе исследования фотопроводимости в $p$-$i$-$n$-гетероструктурах GaAs/AlAs в видимом световом диапазоне показана доминирующая роль канала диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в процессе формирования осцилляций фототока от напряжения смещения и определяющий вклад этого канала в полный ток через структуру. Рассмотрена качественная модель транспорта возбужденных носителей, предполагающая диффузионный канал как основной источник фотоосцилляций.
Ключевые слова:
гетероструктуры, фотопропроводимость.
Поступила в редакцию: 29.07.2021 Исправленный вариант: 29.07.2021 Принята в печать: 04.08.2021
Образец цитирования:
Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, “Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs”, Физика твердого тела, 63:12 (2021), 2047–2052
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt7913 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i12/p2047
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 107 | PDF полного текста: | 26 |
|