Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах CsCl

Для кристаллов CsCl методами низкотемпературной оптической и термоактивационной спектроскопии изучен излучательный распад электронных возбуждений и обнаружены образующиеся при распаде экситонов анионные дефекты Френкеля ($F$, $H$- и $\alpha$, $I$-пары). Обсуждены черты сходства и различия в процессах излучательного и безызлучательного распада автолокализованных экситонов в простых кубических и гранецентрированных кубических щелочно-галоидных кристаллах.