|
Физика твердого тела, 1986, том 28, выпуск 2, страницы 389–393
(Mi ftt75)
|
|
|
|
Рассеяние света инверсионным слоем полупроводника в МДП структуре
С. Т. Павлов, Б. Э. Эшпулатов Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация:
Получена зависимость сечения рассеяния от частоты вторичного излучения $\omega_{s}$. Приведены результаты численного расчета сечения для параметров GaAs; сравнение с рассеянием в объеме указывает на возможность экспериментального наблюдения эффекта.
Поступила в редакцию: 01.07.1985
Образец цитирования:
С. Т. Павлов, Б. Э. Эшпулатов, “Рассеяние света инверсионным слоем полупроводника в МДП структуре”, Физика твердого тела, 28:2 (1986), 389–393
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt75 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v28/i2/p389
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 17 |
|