Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 1992, том 34, выпуск 5, страницы 1384–1389 (Mi ftt7481)  

Спектры ИК-отражения кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ при низких температурах

С. В. Вагин, Р. Йерман, М. Ходошчек, Б. Орел, Т. В. Панченко

Днепропетровский государственный университет
Аннотация: Измерены низкотемпературные (20 K) спектры кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ и проведен их дисперсионный анализ. Найдены частоты и затухания $TO$ и $LO$ фононов. Обнаружено слабое влияние дефектов Si(Bi) подрешетки на затухание фононов.
Поступила в редакцию: 03.09.1991
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Вагин, Р. Йерман, М. Ходошчек, Б. Орел, Т. В. Панченко, “Спектры ИК-отражения кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ при низких температурах”, Физика твердого тела, 34:5 (1992), 1384–1389
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VagIerKho92}
\by С.~В.~Вагин, Р.~Йерман, М.~Ходошчек, Б.~Орел, Т.~В.~Панченко
\paper Спектры ИК-отражения кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ при~низких температурах
\jour Физика твердого тела
\yr 1992
\vol 34
\issue 5
\pages 1384--1389
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt7481}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt7481
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v34/i5/p1384
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:69
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024