Образование F-центров и автолокализованных экситонов в кристалле CsBr под действием импульсных электронных пучков

Методами оптической спектроскопии с временны́м разрешением изучены первичные центры окраски, создаваемые в неактивированных кристаллах бромида цезия импульсами ускоренных электронов (${E=0.25}$ МэВ, ${j=2\div300}$ А см$^{2}$, ${t_{\text{и}}=10^{-8}}$ с). К моменту окончания импульса радиации при ${T= (80\div160)}$ K в CsBr зарегистрировано неустойчивое поглощение с максимумами $E_{m}$ в спектре при энергиях фотонов 1.23, 2.4 и 3.1 эВ, обусловленное двухгалоидными автолокализованными экситонами (ДАЛЭ) в $^{3}\Sigma^{+}_{u}$-состоянии. Низкоэнергетический пик поглощения с ${E_{m}=1.23}$ эВ связывается с оптическими переходами в электронной, а полосы с ${E_{m}=2.4}$ и 3.1 эВ — в дырочной частях ДАЛЭ. Эффективность наведения ДАЛЭ электронными импульсами уменьшается с ростом температуры выше 80 K по зависимости, антибатной температурной зависимости числа создаваемых за импульс F- и Н-центров. Значения энергии термической активации процессов, ответственных за образование первичных F$-$Н-пар и последующее разделение компонентов пар в пространстве определены равными ${0.06\pm0.01}$ и ${0.09\pm0.01}$ эВ соответственно. Обсуждается модель процессов, в соответствии с которой определяющим механизмом, общим для создания и для пространственного разделения френкелевских дефектов в CsBr в области высоких температур (${> 160}$ K) является термоактивированное диффузионное движение галоидного ядра релаксирующего экситона.