Теория многофононного резонансного комбинационного рассеяния света в полупроводниках с равными эффективными массами электронов и дырок

Вычислено сечение многофононного резонансного комбинационного рассеяния света (МРКРС) в полупроводниках InBr и InI класса A$^{3}$B$^{7}$ в предположении равенства ${m=m_{h}}$, где $m\,(m_{h}$) — эффективная масса электрона (дырки). Показано, что величина вклада в сечение свободных электронно-дырочных пар в качестве промежуточных состояний резко возрастает при переходе от случая неравных масс (как в полупроводниках A$^{2}$B$^{6}$) к случаю ${m=m_{h}}$, а именно: при неравных массах ${\sigma_{N}\sim\alpha^{3}}$, при равных ${\sigma_{N}\sim\alpha}$ при ${N\geqslant4}$, где $\alpha_{N}$ — сечение МРКРС $N$-гo порядка, $\alpha$ — фрелиховская константа связи электронов (дырок) с $LO$ фононами. Поэтому переход к случаю m-mh эквивалентен включению сильного магнитного поля, которое также приводит к увеличению интенсивности МРКРС в $\alpha^{-2}$ раз. Таким образом, предположение о ${m=m^{h}}$ позволяет объяснить обе основные особенности спектров МРКРС в InBr и InI: величину четных пиков по сравнению с величиной нечетных и чрезвычайно большое общее число наблюдаемых пиков, доходящее до ${N=20}$.