Типы дислокационного межзонного поглощения в прямозонных полупроводниках с краевыми дисллокациями

Выполнен теоретический анализ спектров дислокационного межзонного поглощения, обусловленного дальнодействующей частью взаимодействия электронов и дырок с дислокациями: полем деформаций, электрическим полем линейного заряда или пьезоэлектрическим полем. Расчет проведен в квазиклассическом приближении, получены критерии применимости результатов. Установлены и изучены основные типы дислокационного межзонного поглощения в квазиклассической области исходя из механизмов взаимодействия с дислокацией и механизмов поглощения света: деформационное классическое, деформационное туннельное и электротуннельное (пьезотуннельное). В спектре межзонного поглощения при наличии дислокаций выделяются три участка: фундаментальное поглощение, уширенный край фундаментального поглощения (коэффициент поглощения зависит от структуры дислокационного ансамбля и нелинейно зависит от плотности дислокаций) и дислокационное крыло поглощения (линейная зависимость от плотности дислокаций и степенная — от частоты в квазиклассической области). Для каждого типа поглощения установлены характерные энергии, показатели степени частотной и концентрационной зависимостей, найдены условия, при которых данный тип поглощения доминирует.