Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 1992, том 34, выпуск 1, страницы 215–218 (Mi ftt7279)  
Основное экситонное состояние и диамагнитный сдвиг в пленке кристалла MoS$_{2}$

В. И. Бойчук, Н. И. Стасив

Минский государственный педагогический институт им. А. М. Горького
PDF полного текста (430 kB)
Аннотация: Найдены волновые функции и энергии основного состояния экситона серий $A$ и $B$ кристалла MoS$_{2}$ при ${L\geqslant10}$ Å. Для обеих экситонных серий получена зависимость диамагнитного сдвига от толщины пленки.
Поступила в редакцию: 18.02.1991
Исправленный вариант: 12.08.1991
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 535.343.2
Образец цитирования: В. И. Бойчук, Н. И. Стасив, “Основное экситонное состояние и диамагнитный сдвиг в пленке кристалла MoS$_{2}$”, Физика твердого тела, 34:1 (1992), 215–218
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BoiSta92}
\by В.~И.~Бойчук, Н.~И.~Стасив
\paper Основное экситонное состояние и~диамагнитный сдвиг в~пленке кристалла~MoS$_{2}$
\jour Физика твердого тела
\yr 1992
\vol 34
\issue 1
\pages 215--218
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt7279}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt7279
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v34/i1/p215
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024