Резонансное туннелирование электронов при двумерном неупорядоченном расположении центров рассеяния

В бинарном приближении рассчитан коэффициент прозрачности одномерного потенциального барьера, содержащего неупорядоченный монослой трехмерных бесструктурных центров резонансного взаимодействия. Определены условия, при которых туннелирование осуществляется по резонансному механизму через одноцентровые и двухцентровые состояния. Для малопроницаемых барьеров предсказано расщепление резонансного пика энергетической зависимости коэффициента прозрачности. Проанализированы возможные изменения автоэмиссионных спектров металлов при фазовых переходах типа «порядок–беспорядок» в системе адсорбированных атомов.