Ковалентно-ионный переход и активность границ раздела металл$-$полупроводник

Ковалентно-ионный переход, химическая активность границ раздела металл$-$полупроводник и другие вопросы, связанные с проблемой формирования барьера Шоттки, обсуждаются с единой точки зрения. Пассивные границы определяются как такие, на которых не образуются валентные связи между адатомами и подложкой. Для них благодаря установлению равновесия по свободным носителям реализуется беспиннинговое (по Шоттки) формирование барьера. В случае активных границ раздела возникают валентные связи, что приводит к выравниванию энергий валентных электронов постороннего вещества и полупроводника (химический сдвиг). Обмен носителями заряда между адсорбатом и подложкой в этом случае приводит также к изгибу зон, но в конечном итоге — к пиннингу уровня Ферми на поверхности, причем двухзонный пиннинг оказывается более предпочтительным, чем однозонный.