Исследование энергетического спектра локализованных Д-состояний в объеме и на поверхности $a$-Si : H методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии

Исследовался энергетический спектр локализованных состояний в объеме и на поверхности $a$-Si : H и $a$-SiN$_{x}$ : H методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии. При калибровке интенсивности эмиссионного SiL$_{2,3}$-спектра ($I_{m}$) применялся метод постоянного фотоответа для определения концентрации Д-центров ($N_{d}$). Получена логарифмическая зависимость $I_{m}=\lg (N_{d})$. Определены параметры пика Д-центров и ширины экспоненциальных хвостов Урбаха для всех исследуемых образцов, которые хорошо согласуются с результатами других методов. Показано, что метод ультрамягкой рентгеновской спектроскопии может быть использован для определения плотности локализованных состояний, образованных оборванными связями кремния в объеме и на поверхности $a$-Si : H.