Сегнетоэлектрические свойства кристаллов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te ($x=0.25$), легированных индием

Измерены температурные зависимости спонтанного напряжения, диэлектрической проницаемости и поляризации в образцах Pb$_{0.75}$Sn$_{0.25}$Te с концентрацией In 0.1, 0.5 и 1 ат.%. Наблюдается усиление сегнетоэлектрических свойств с увеличением концентрации In. Обнаружен сдвиг петли гистерезиса, обусловленный электрическим полем локализованных на индии зарядов. Обсуждается вопрос о влиянии In на критическую температуру перехода $T_{c}$, а также о влиянии на сегнетоэлектрические характеристики неоднородного распределения индия.