Электрические свойства контакта металл$-$ферромагнитный полупроводник HgCr$_{2}$Se$_{4}$ $p$-типа

Исследованы электрические свойства контакта металл (М)$-$ферромагнитный полупроводник (ФМП) HgCr$_{2}$Se$_{4}$ $p$-типа. Показано, что при комнатной температуре возникает выпрямление, связанное с барьером Шоттки в контакте. При понижении температуры ВАХ становится почти омической. При измерении вторых производных ВАХ выделяются особенности, связанные с шириной запрещенной зоны и $p{-}d$-обменным расщеплением валентной зоны.