Спектроскопия внутрицентровых переходов и экситонов кристалла TlGaS$_{2}{-}$Nd$_{2}$S$_{3}$

Обнаружено взаимное влияние внутриатомного связанного с $4f{-}4f$-электронными переходами между основным $^{4}I_{9/2}$ и возбужденными состояниями $^{2}G_{7/2}$; $^{4}G_{5/2}$ иона Nd$^{3+}$ и экситонного поглощения в монокристаллах TeGaS$_{2}$, активированных соединением сесквисульфида неодима Nd$_{2}$S$_{3}$. На основании температурной, концентрационной зависимости коэффициента поглощения, а также исследований рентгеноструктурного анализа предложена модель возникновения локальных образований Nd$^{3+}$ в TlGaS$_{2}$.