Пикосекундная модуляция прозрачности магнитного полупроводника CdCr$_{2}$Se$_{4}$ мощным лазерным излучением

Исследовано влияние мощных лазерных импульсов пикосекундной длительности на поглощение слабого света в магнитном полупроводнике CdCr$_{2}$Se$_{4}$ при 300 K. Получено, что интенсивное освещение обусловливает увеличение поглощения света в CdCr$_{2}$Se$_{4}$ (\glqqзатемнение»). Релаксация затемнения существенно зависит от энергии кванта зондирующего света $h\nu_{3}$. При $h\nu_{3} < 1.3$ эВ спад индуцированного поглощения происходит с двумя временами релаксации ${\tau_{1}\sim 60}$ и ${\tau_{2} \sim 600}$ пс. Увеличение поглощения света с энергией кванта ${h\nu_{3} > 1.3}$ эВ остается практически постоянным в исследуемом интервале времени ${\sim1000}$ пс. Результаты объясняются уменьшением ширины запрещенной зоны и CdCr$_{2}$Se$_{4}$ из-за взаимодействия между неравновесными электронами и дырками.