Распределение структурных нарушений в имплантированном кремнии по данным рентгеноспектральных методов

Исследовано распределение по глубине структурных нарушений, возникающих в процессе ионного легирования монокристалла кремния фосфором. Исследование проводилось методом ультрамягкой эмиссионной спектроскопии с варьированием энергии электронного возбуждения без послойного стравливания образца и методом ультрамягкой рентгеновской рефлектометрии в сочетании с послойным стравливанием поверхностных слоев. Показано, что предложенный неразрушающий рентгеноспектральный метод обеспечивает надежные результаты и может эффективно использоваться для решения подобных задач. Построен профиль аморфизации кристалла, оценена глубина области структурных нарушений. Показано, что область максимальных нарушений кристалла расположена вблизи поверхности кристалла. Определена глубина залегания максимума плотности нарушений междоузельного характера.