Интерференционная пикосекундная диагностика плазменно-индуцированного показателя преломления GaAs

Выполнены прямые измерения плазменно-индуцированного показателя преломления GaAs на длине волны 1.06 мкм при двухфотонном возбуждении полупроводника. Получена зависимость его величины от концентрации свободных носителей, которая с учетом процесса межзонной излучательной рекомбинации хорошо соответствует расчетному соотношению Друде вплоть до уровней накачки 6.5 ГВт/см$^{2}$. Определено значение эффективной величины нелинейного показателя преломления, которое позволяет рассчитывать результат нелинейного взаимодействия, обусловленного генерацией свободных носителей.