Движение дислокаций в кристаллах карбида кремния, вводимых механическими повреждениями поверхности

Исследовано движение дислокаций в термообработанных монокристаллах $\alpha$-SiC, генерируемых при нанесении царапин алмазным резцом на поверхности (000$\overline{1}$) C. Установлено, что заметный разбег дислокаций происходит лишь при температурах отжига $T_{0} \geqslant 1800^{\circ}$С, осуществляется преимущественно скольжением и зависит от кристаллографической ориентации царапин и плотности, а также распределения исходных ростовых дислокаций. Обнаружено уменьшение подвижности дислокаций в кристаллах, облученных большими дозами реакторных нейтронов ($\Phi=10^{20}$ см$^{-2}$). Торможение дислокаций при $T < 1800^{\circ}$С, а также после облучения нейтронами связывается с атмосферой неравновесных точечных дефектов.