Активизация центров излучательной рекомбинации экситонов в кристаллах окиси цинка при лазерном возбуждении

Исследована фотолюминесценция кристаллов ZnO, нелегированных и легированных Li, при 2 K с применением в качестве источника возбуждения лазера на азоте. Показано, что повышение уровня возбуждения приводит к появлению в спектре излучения кристаллов ZnO : Li новых линий излучения 3693 и 3697 Å, интенсивность которых сверхлинейно зависит от интенсивности накачки. Линии с аналогичным поведением наблюдаются также в спектрах нелегированных образцов. На основе сравнения спектров легированных и нелегированных кристаллов указанные линии приписываются излучению экситонов, связанных на нейтральных акцепторах, концентрация которых зависит от плотности возбуждения.