Анизотропия рассеяния носителей заряда в твердых растворах Bi$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$ и Bi$_{2-y}$In$_{y}$Te$_{3}$

В твердых растворах на основе теллурида висмута (Bi$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$, ${x=0.12}$, 0.3; Bi$_{2-y}$In$_{y}$Те$_{3}$, ${y=0.06, 0.12}$) из данных по измерению компонентов тензора сопротивления $\rho^{}_{ij}$, эффекта Холла $\rho^{}_{ijk}$ и магнетосопротивления $\rho^{}_{ijkl}$ в слабых магнитных полях определены отношения компонентов тензора времени релаксации $\tau^{}_{ij}/\tau^{}_{11}$ в соответствии с многодолинной моделью энергетического спектра с анизотропным рассеянием носителей заряда. Установлено, что анизотропия рассеяния увеличивается с ростом концентрации носителей, при этом анизотропия рассеяния выше в твердых растворах Bi$_{2-y}$ In$_{y}$Те$_{3}$ с ограниченной растворимостью второго компонента, чем в непрерывных твердых растворах. Показано, что анизотропия рассеяния в плоскости спайности меньше, чем в перпендикулярном направлении.