|
Физика твердого тела, 1990, том 32, выпуск 2, страницы 422–427
(Mi ftt5916)
|
|
|
|
Влияние микроструктуры на электрофизические характеристики Pb$_{5}$Ge$_{3}$O$_{11}$, полученного по стеклокерамической технологии
О. Ю. Малеваная, В. В. Михневич, С. Р. Сырцов, В. Н. Шут Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук БССР, г. Минск
Аннотация:
Исследовано влияние температуры термообработки на микроструктуру и свойства Pb$_{5}$Ge$_{3}$O$_{11}$, полученного по стеклокерамической технологии. Показано, что определяющую роль в изменении электрофизических характеристик данной системы играют внутренние напряжения, величина которых зависит от параметров микроструктуры. Обсуждены возможные механизмы возникновения и релаксации внутренних напряжений.
Поступила в редакцию: 18.07.1989
Образец цитирования:
О. Ю. Малеваная, В. В. Михневич, С. Р. Сырцов, В. Н. Шут, “Влияние микроструктуры на электрофизические характеристики Pb$_{5}$Ge$_{3}$O$_{11}$, полученного по стеклокерамической технологии”, Физика твердого тела, 32:2 (1990), 422–427
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt5916 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v32/i2/p422
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 55 | PDF полного текста: | 32 |
|