Возгорание гиротропии примеси в области экситонных резонансов матрицы

В рамках метода действующего поля рассмотрена дисперсия гиротропии примеси в области экситонных резонансов матрицы. Для конкретной модели примесного гиротропного кристалла найден тензор диэлектрической проницаемости $\varepsilon_{ij}(\omega,k)$ с точностью до линейных по k членов и изучена его зависимость от концентрации примеси. Показано, что примесная гиротропия резонансно возрастает по мере приближения примесного уровня к краю дипольно разрешенной экситонной зоны.