Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 1990, том 32, выпуск 1, страницы 151–155 (Mi ftt5861)  

Об электронной модели дефектных углеродных материалов

Е. М. Байтингер, В. А. Иванов, В. А. Кульбачинский, С. В. Шулепов

Челябинский государственный педагогический университет
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования температурной зависимости коэффициента Холла в интервале температур 4$-$150 K. Предложена модель для интерпретации экспериментальных результатов, учитывающая особенности образования дефектов неравновесных слоевых материалов.
Поступила в редакцию: 13.02.1989
Исправленный вариант: 27.07.1989
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 539.27
Образец цитирования: Е. М. Байтингер, В. А. Иванов, В. А. Кульбачинский, С. В. Шулепов, “Об электронной модели дефектных углеродных материалов”, Физика твердого тела, 32:1 (1990), 151–155
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BaiIvaKul90}
\by Е.~М.~Байтингер, В.~А.~Иванов, В.~А.~Кульбачинский, С.~В.~Шулепов
\paper Об~электронной модели дефектных углеродных материалов
\jour Физика твердого тела
\yr 1990
\vol 32
\issue 1
\pages 151--155
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt5861}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt5861
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v32/i1/p151
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024