Однокристальная реализация метода асимптотической брэгговской дифракции

Работа посвящена развитию метода асимптотической брэгговской дифракции (АБД) в скользящей геометрии Брэгга$-$Лауэ. Рассматривается схема регистрации дифракционного рассеяния от образца при использовании координатного детектора. Методика позволяет перейти от регистрации отдельных спектров АБД к одновременной регистрации всей кривой дифракционного отражения без вращения образца в однокристальной схеме. Показано, что регистрация поверхностного брэгговского пика при угле выхода излучения, равном критическому углу полного внешнего отражения, позволяет сделать метод АБД чувствительным к наличию на поверхности образца тонкой рентгеноаморфной пленки. Теоретически рассмотрена и экспериментально подтверждена возможность извлечения по полученным рентгенодифракционным данным параметров искажений структуры тонкой переходной области монокристалл$-$аморфная пленка, а также толщины этой пленки. Показано, что предельная чувствительность методики при определении толщины переходной области составляет доли монослоя, а при определении толщины аморфной пленки — 1 нм. Представлены экспериментальные результаты по исследованию кристаллов кремния после различных обработок.