Поляритонная люминесценция GaAs

Из газовой фазы выращены чистые образцы GaAs, резонансная экситонная люминесценция которых может быть достоверно приписана излучению поляритонов верхней и нижней ветвей. Впервые для кристаллов GaAs получено хорошее согласие между экспериментальными и расчетными спектрами поляритонной люминесценции во всей области экситонного резонанса. Анализ формы спектров поляритонной люминесценции при различных интенсивностях возбуждения позволил получить информацию об особенностях поведения функции пространственно-энергетического распределения поляритонов. В области малых интенсивностей возбуждения основная часть поляритонов находится в приповерхностной области, где велика концентрация релаксирующих фотовозбужденных носителей. Увеличение интенсивности возбуждения в этом случае приводит к росту эффективной температуры поляритонов за счет взаимодействия с носителями и фононами. В области больших интенсивностей возбуждения основная часть поляритонов диффундирует в глубь кристалла и начинает охлаждаться за счет стоксовых процессов рассеяния на акустических фононах.