Перезарядка дислокаций в пластически деформируемых кристаллах A$^{2}$B$^{6}$

Рассмотрен квантовый переход слабосвязанного электрона с иона, оказавшегося в процессе пластической деформации кристалла в области пространственного заряда краевой дислокации, в автолокализованное на дислокации конденсонное состояние. В рамках адиабатического приближения учтено электрон-фононное взаимодействие, обеспечивающее возможность многоквантового флуктуационного испускания и поглощения фононов в начальном и конечном состояниях. Получена вероятность элементарного акта перезарядки дислокации как функции температуры, константы электрон-фононного взаимодействия и расстояния между дислокацией и ионом. На основе численных расчетов для полупроводниковых соединений А$^{2}$В$^{6}$ получены зависимости эффективности процесса перезарядки как функции скорости деформации, энергии ионизации иона, температуры и напряженности электростатического поля, окружающего краевую дислокацию.