Особенности дефектообразования под действием $\gamma$-облучения и термообработки в чистых и легированных монокристаллах LiNbO$_{3}$

Методом ЭПР проведено систематическое исследование процессов дефектообразования под действием $\gamma$-облучения и вакуумного отжига с последующей УФ-подсветкой в чистых и легированных примесями группы железа и редкоземельными элементами монокристаллах LiNbO$_{3}$. Установлено, что активную роль в процессах дефектообразования играют $3d$-ионы (Ti, Mn, Ni, Сu), входящие в кристалл в различных зарядовых состояниях. Редкоземельные ионы, содержащие глубоко лежащие электроны $4f$-оболочки, слабо взаимодействуют с окружением и (за исключением Тb) не играют активной роли в дефектообразовании. Точно так же пассивны в процессах дефектообразования локально-компенсированные $3d$-ионы (например, Сr$^{3+}$), входящие преимущественно в единственном зарядовом состоянии. Из результатов исследования дефектообразования при вакуумном отжиге LiNbO$_{3}$ следует, что вероятнее всего из кристалла удаляются целиком молекулы Li$_{2}$O, так что отдельно $F$-центры (вакансии O$^{2-}$) и вакансии Li$^{+}$ не образуются.