|
Физика твердого тела, 1989, том 31, выпуск 7, страницы 67–69
(Mi ftt5469)
|
|
|
|
Локальные дислокационные электронные уровни в щелочно-галоидных кристаллах
А. А. Кусов, М. И. Клингер, В. А. Закревский Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация:
На основе метода решеточных функций Грина, исходя из известной трехмерной конфигурации ионов в ядре дислокации для кристаллов NaCl, KCl, LiF, рассчитано электрическое возмущение, вызывающее отщепление Δc,v локальных дислокационных уровней от дна зоны проводимости и потолка валентной зоны.
Поступила в редакцию: 18.01.1989
Образец цитирования:
А. А. Кусов, М. И. Клингер, В. А. Закревский, “Локальные дислокационные электронные уровни в щелочно-галоидных кристаллах”, Физика твердого тела, 31:7 (1989), 67–69
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt5469 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v31/i7/p67
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 65 | PDF полного текста: | 24 |
|