Пикосекундная кинетика свечения экситонов в CdS

С пикосекундным временны́м разрешением исследована люминесценция свободных и локализованных экситонов в кристаллах CdS при гелиевых температурах. Определены времена затухания $A_{2}$ и $B_{1}$ экситонов ($\tau=40$ и 12 пс соответственно). При внутризонном возбуждении около дна экситонной зоны $A_{1}$ образуется квазиравновесное распределение экситонов (время формирования 100 пс). Экспериментально обнаружен быстрый канал заселения экситонных состояний в области дна зоны. Затухание квазиравновесного распределения при длинных временах ($\tau=0.6$ нс) определяется переходами в локализованные состояния, распад которых имеет радиационный характер ($\tau=1$ нс для $I_{1}$ и $\tau = 0.58$ нс для $I_{2}$). В случае мелких, локализованных на нейтральных донорах экситонов существен радиационный перенос энергии между отдельными центрами. Локализованные на нейтральных акцепторах экситонные состояния заселяются через промежуточные состояния $I_{1B}$.