Особенности квантового эффекта Холла в гетероструктурах GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As на переменном токе

Исследован квантовый эффект Холла (КЭХ) в гетероструктурах GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As на постоянном и переменном токе в интервале температур $0.1 \leqslant T \leqslant 4.2$ K в магнитных полях до 6.5 Тл до частот 1 ГГц. Показано, что особенности локализации электронов при $T < 1$ K на постоянном токе и разрушение плато на переменном токе связаны со свойствами случайного потенциала $V_{0}$. По экспериментальным данным, средняя величина $V_{0}\simeq 0.7$ K.