Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 1989, том 31, выпуск 2, страницы 286–287 (Mi ftt5184)  

Краткие сообщения

Влияние точечных дефектов на кристаллографическую ориентировку габитусных граней кристаллов новой фазы, образующихся в результате фазового превращения мартенситного типа

В. Н. Нечаев, А. М. Рощупкин

Воронежский политехнический институт
Поступила в редакцию: 06.06.1988
Исправленный вариант: 20.09.1988
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 537.226
Образец цитирования: В. Н. Нечаев, А. М. Рощупкин, “Влияние точечных дефектов на кристаллографическую ориентировку габитусных граней кристаллов новой фазы, образующихся в результате фазового превращения мартенситного типа”, Физика твердого тела, 31:2 (1989), 286–287
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NecRos89}
\by В.~Н.~Нечаев, А.~М.~Рощупкин
\paper Влияние точечных дефектов на~кристаллографическую ориентировку габитусных граней кристаллов новой фазы, образующихся в~результате фазового превращения мартенситного типа
\jour Физика твердого тела
\yr 1989
\vol 31
\issue 2
\pages 286--287
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt5184}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt5184
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v31/i2/p286
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024