Дипольное стекло в системе поверхностных гидроксильных групп

Рассматривается система диполей с вырожденными ориентациями в $n$-мерном пространстве, которые случайно заполняют (с вероятностью $c$) узлы симметричной решетки. При точном учете анизотропных дальнодействующих дипольных взаимодействий в приближении среднего по конфигурациям заполнения самосогласованного поля рассчитывается фазовая $T{-}c$ диаграмма ориентационных переходов из параэлектрической фазы в ферроэлектрическую и фазу дипольного стекла, а также диэлектрическая восприимчивость фазы дипольного стекла вблизи критической точки. Результаты конкретизируются для системы ОН-групп поверхности SiO$_{2}$ с треугольной решеткой адсорбционных центров. Отмечается высокая температура перехода (${\sim300}$ K) в фазу дипольного стекла для этой системы.