Плазменные колебания в бесщелевых полупроводниках II рода

Проведено теоретическое исследование плазменных волн, связанных с колебаниями электронов проводимости в примесном бесщелевом полупроводнике с инверсной зонной структурой типа $n$-HgTe при низких температурах. Показано, что специфика статического и динамического экранирования зарядов в бесщелевом полупроводнике, обусловленная особенностями его зонной структуры, приводит к качественно иной, чем в обычном полупроводнике, зависимости частоты плазмонов от температуры и концентрации электронов.