|
Физика твердого тела, 1988, том 30, выпуск 3, страницы 906–909
(Mi ftt4460)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Краткие сообщения
Эффект Фарадея на носителях заряда в магнитном полупроводнике HgCr2Se4
Н. Н. Лошкарева, Ю. П. Сухоруков, Б. А. Гижевский, Н. М. Чеботаев, А. А. Самохвалов Институт физики металлов УНЦ АН СССР
Поступила в редакцию: 08.10.1987
Образец цитирования:
Н. Н. Лошкарева, Ю. П. Сухоруков, Б. А. Гижевский, Н. М. Чеботаев, А. А. Самохвалов, “Эффект Фарадея на носителях заряда в магнитном полупроводнике HgCr2Se4”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 906–909
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt4460 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v30/i3/p906
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 63 | PDF полного текста: | 33 |
|