Электропоглощение света глубокими примесными центрами в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны

На основе многозонной модели потенциала нулевого радиуса вычислены сечения фотоионизации глубоких примесных центров в прямозонных полупроводниках типа GaAs в электрическом поле с дефицитом энергии фотона. Для центров различной симметрии получены выражения, определяющие частотную и поляризационную зависимости сечений фотоионизации как функцию энергии примесного уровня и зонных параметров полупроводника. Выражения для сечений получены в квазиклассическом приближении для волновой функции фотоионизованного носителя. Приводится номограмма для расчета поляризационных зависимостей электропоглощения.